[Flash]NAND Flash的寻址方式(转)
gebi1218 发表于 2010-5-25 22:35:00NAND Flash的寻址方式和NAND Flash的memory组织方式紧密相关。NAND Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。然后，每32个page形成一个Block，Sizeof(block)=16kByte Block是NAND Flash中最大的操作单元，擦除就是按照block为单位完成的，而编程/读取是按照page为单位完成的。 所以，按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： -Block Address -Page Address -Column Address 首先，必须清楚一点，对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度可以是8位或者16位，但是，对于x16的NAND Device，I/O[15:8]只用于传递数据。清楚了这一点，我们就可以开始分析NAND Flash的寻址方式了。 以528Byte/page 总容量512Mbit+512kbyte的NAND器件为例：因为1 block="16kbyte"，512Mbit="64Mbyte"，Numberof(block)=4096 1block="32page", 1page="528byte"=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) 用户数据保存在main area中。512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half和2nd half, 各自的访问由所谓的pointer operation命令来选择，也就是选择了bit8的高低。因此A8就是halfpage pointer（这是我给出的一个名字），A[7:0]就是所谓的column address。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址Block的地址是由A14以上的bit来表示，例如512Mb的NAND，共4096block，因此，需要12个bit 来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block。 NAND Flash的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address, Page Address, Block Address。由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbit x8的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR为例： 第1步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上而halfpage pointer即bit8是由操作指令决定的，即指令决定在哪个h
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这个箭头的小图案。
这个只是用于创作的小工具图形，这次增加了箭头，圆环，菱形，鱼儿等一些有趣的图案。
使用圆环的创作：
齿轮图案：
创作
使用菱形的创作
新增鱼儿：图案
Demo 在这里：
有兴趣进行创作的时候使用。
这些类库仅仅用于实验的时候进行创作。丰富一些As本身一些图案。 ......
第一，添加控件。
工具箱 添加—COM组件—选择Shockwave Flash Object，点击确定。之后根据需要对该dll文件进行注册。
注册方式为regsvr32 C:\Windows\System32\Macromed\Flash\Flash10a.ocx [查看这个目录，版本不同可能此文件名不同]
第二，拖放控件至窗体。
......
div的图层由div的style中的z-index来决定，z-index是层垂直屏幕的坐标，0最小，越大的话位置越靠上。
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flash的图默认情况下总是位于最上� ......
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