MSP430单片机学习(一)——Flash读写操作
声明：本文以MSP430F2122为例说明Flash读写操作。
一、MSP430F2122的FLASH结构
FLASH模块结构图如图一
图一
MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器分为主存储器和信息存储器。主存储器根据不同的容量分为若干段（segment）每个段为512字节，每一个段又有四个块（block），每个块为64字节；信息存储器分为SegmengA、SegmentB、SegmentC和SegmentD，其中每个段各有64个字节。如图二所示
图二
二、FLASH模块的寄存器
相关的寄存器有：FCTL1、FCTL2、FCTL3和IE1
图三
图四
图五
图六
图七
三、FLASH读写的软件实现
FLASH存储器写入数据时，每一位只能由“1”变成“0”，不能由“0”变成“1“，因此，当我们有数据要保存到FLASH存储器时，要先对目标段进行整段擦除操作，擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址写入数据，及擦除一段。
void flash_clr(int *ptr)
{
_DINT(); //关中断
FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁
FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除
*((int *) ptr) = 0; //* 擦除段
}
FLASH存储器可以按字节写入，也可以按字写入。
// 字节写入
void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)
{
_DINT();
FCTL3 = 0x0A500;
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