gebi1218 发表于 2010-5-25 22:32:00由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是：当编程/擦除这个块时，不能将某些位拉高，这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误，相应地反映到Status Register的相应位。总体上，坏块可以分为两大类：
1.固有坏块
这是生产过程中产生的坏块，一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。
2.使用坏块
这是在NAND Flash使用过程中，如果Block Erase或者Page Program错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致，将新发现的坏块的第一个page的spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。
我们了解了NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息，因此，如果在擦除一个块之前，一定要先check一下spare area的第6个byte是否是0xff，如果是就证明这是一个好块，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除。当然，这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”，因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等� ......
gebi1218 发表于 2010-5-25 22:35:00NAND Flash的寻址方式和NAND Flash的memory组织方式紧密相关。NAND Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。然后，每32个page形成一个Block，Sizeof(block)=16kByte Block是NAND Flash中最大的操作单元，擦除就是按照block为单位完成的，而编程/读取是按照page为单位完成的。 所以，按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： -Block Address -Page Address -Column Address 首先，必须清楚一点，对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度可以是8位或者16位，但是，对于x16的NAND Device，I/O[15:8]只用于传递数据。清楚了这一点，我们就可以开始分析NAND Flash的寻址方式了。 以528Byte/page 总容量512Mbit+512kbyte的NAND器件为例：因为1 block="16kbyte"，512Mbit="64Mbyte"，Numberof(block)=4096 1block="32page", 1page="528byte"=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) 用户数据保存在main are ......
以下是用datalist绑定了一些flash视频。客户端点击这个视频，则跳出一个网页。
<Script language="javascript">
function OpenAdvertPage(URL) {
window.open("b.html","_blank");
return false;
}
</script>
<asp:datalist id="DataList1" runat="server" RepeatColumns="1">
<ItemTemplate>
<div align="center" onMouseDown="OpenAdvertPage('http://www.baidu.com/')">
<object classid="clsid:D27CDB6E-AE6D-11cf-96B8-444553540000" codebase="http://download.macromedia.com/pub/shockwave/cabs/flash/swflash.cab#version=5,0,0,0"
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