实现NAND FLASH的扩展（64M >128M）
这是之前在CE上做的NAND Flash的扩展，在mobile上也实现了。方法是相同的，我们所做的是实现64M到128M的扩展。
对于这样的问题，很明显就是要改底层的寄存器，首先需要修改nand controller中的寄存器，根据datasheet来扩大nand flash的地址映射空间，nand controller必须有支持多个bank的能力，我们是有两块nand flash来实现128M的，所以支持两个bank。其次在修改控制器的之前，我们需要了解外部总线接口，即EBICON，通过设置EBICON来选择支持的卡的类型，我们这里支持的就是NAND。
如果不想改动原来的代码的话，我建议可以写一些环境变量以示区分，比如我们这里就可以用“NANDFLASH128M”这个宏定义来区分，原来的代码就包含在“ELSE”部分。
先来修改汇编里的EBICON，在BSP下的Src\inc 目录下有个inc文件，其中记录了很多有底层硬件寄存器相关的设置，inc文件其实就是include file，类似于C/C++里的.h/.hpp文件。需要在inc文件里找到EBI的信息，如下：
GBLA EBICON_VAL
EBICON_VAL SETA ((0<<10)+(0<<9)+(1<<8)+(1<<2)+(0<<1)+(0<<0))
; BANK[7:2]=SDRAM/SDRAM/RAM/CF/NAND/SRAM
GBLA NANDFLASH128M_S
IF :DEF: NANDFLASH128M
NANDFLASH128M_S SETA 1
ELSE
NANDFLASH128M_S SETA 0
ENDIF
其中GBLA和SETA都是ARM汇编里的指令，GBLA 指令声明一个全局算术变量，并将其值初始化为 0。SETA指令来设置变量的值。上面的分号后面的语句表示注释。在这里�
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转自:http://www.laolang.cn/back-end-develop/flash-builder-4-blazeds-db-application.html
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