NOR flash和NAND flash的区别 收藏
一般而言，flash分为nor和nand2种，简单的说就是用or门和and门搭建的2种flash。目前用为海量存储器的flash都是nand结构，而一些当成rom使用的flash为nor结构。至于他们的物理上的区别，我也不明白，为了让自己扫盲，特地找了篇比较他们特性的入门文章，看来还是要多学习才行。intel也在将nand flash向pc主存储器方向推广，目前的产业能力也预示着这并不是妄想，目前最高的容量的nand flash已经达到了16Gbit/单片，说不定过几年，我们就再也不能在pc里听见读写磁盘时候发出的吱吱声了。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。“flash存储器”经常可以与“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤�
（一）基本概述 现在B/S结构的系统越来越流行，然而由于B/S系统都是基于HTTP协议的，这就决定了它在实时应用方面的缺陷。因为服务器端的信息发生了任何变化都不会主动发送到客户端（曾经热及一时的“推”技术已经不了了之了），都需要客户端主动的去请求服务器端才能获得新数 ......
一直对WEB编程不是特别感冒，迫于环境恶劣，现在开始学习它。首先想要学习FLASH方面的，早在2002年那会，我还是非常精通FLASH3的，曾经还去为此当过家教。时隔8年，FLASH已经发展到10版本了。
用GOUGOU搜索，下了一套金鹰的视频教程。看了几小节，感觉讲得很是详细。
......
今天在网站首页做浮动的时候，发现网站首页中因为放了好多Flash，结果把浮动的DIV给挡住了。
试了下把浮动层的z-index:1调高到z-index:1000，不起作用。
后来看到浮动层在首页的其中一个Flash的位置上，是在flash的上方的，就马上对照了一下，原来我是把这个flash设为透明了，也就是说还是在下方：：<param name="wmo ......
